Wojciech Jadwisienczak

期刊文章，学术期刊(62)

• Jadwisienczak W.查克拉波特，M. 原子层沉积VO4薄膜的电输运 . newbb电子物理杂志.
• Jadwisienczak W., Sultan, M.Chakraborty, M. 传感用NGQDs的顺磁性. newbb电子物理杂志.
• Jadwisienczak W.Chakraborty, M. 微波辅助合成n掺杂GQDs的磁性能 . newbb电子物理快报.
• Jadwisienczak W., Yuan, W. 用镍和铬金属溶剂合成大块氮化硼晶体 . 材料,MDPI.
• Jadwisienczak W., Sultan, M., Morell, G. 基于Au-NGQD-Au背对背肖特基二极管的高性能自供电紫外光电探测器氮掺杂石墨烯量子点的简易合成. newbb电子物理杂志.
• Jadwisienczak W., Sultan, M., Cimatu, K. (2024). 无金属氮掺杂石墨烯量子点的超顺磁性. newbb电子物理杂志.
• Jadwisienczak W., Ebdah, M., Ibdah, A. (2023). 非晶硅基半导体中非氢化非晶硅的椭偏光谱和b样条系数. newbb电子物理杂志.
• Jadwisienczak W.Chakraborty, M., Hasan, M., Rahman, F. (2023). 激光照明用YAG:Ce复合单晶与多晶荧光粉的比较研究. 物理学报:光子学.
• Jadwisienczak W.F . Inbanathan., Cimatu, K., Ingram, D. (2023). 微波合成无金属氮掺杂石墨烯量子点的顺磁性. 9. 材料,MDPI; 19: 3410. http://www.mdpi.com/1996-1944/16/9/3410.
• Jadwisienczak W.Chakraborty, M., Hasa, M.肯赖希，J., Rahman, F. (2023). 一种混合LED/ ld泵浦磷光转换白光灯的设计与运行. Applied Optics; 62: 2266. http://opg.optica.org/ao/fulltext.cfm?uri = ao - 62 - 9 - 2266&id=528301.
• Jolivet, A., Labbé, C., Frilay, C., Debieu, O., Marie, P.霍肖尔，B., Lemarié, F.波特埃，X.格里吉尔，C., Duprey, S.jadwisenczak, W., Ingram, D.M . Upadhyay., David, A., Fouchet, A., Lüders, U., Cardin, J. (2023). Structural, optical, ALD沉积TiO2薄膜的电学性能:衬底的影响, 沉积厚度和沉积温度. Applied Surface Science; 608: http://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85139593206.
• Jadwisienczak W., Cardin, J.霍肖尔，B., Labbé, C.波特埃，X., Marie, P., Frilay, C., Yuan, W., Ingram, D.格里吉尔，C. (2022). Tb3+掺杂Nb2O5薄膜的射频磁控溅射生长与研究:光致发光特性. Applied Surface Science; 597: 153711-end.
• Horcholle, B., Labbé, C.波特埃，X., Marie, P., Frilay, C., Yuan, W.jadwisenczak, W., Ingram, D.格里吉尔，C., Cardin, J. (2022). 结核的生长与研究³⁺ 射频磁控溅射掺杂Nb2O5薄膜:光致发光特性. Applied Surface Science; 597: http://api.elsevier.com/content/abstract/scopus_id/85130619397.
• Jadwisienczak W.乔杜里，A., Cui, X., Hoex, B., Hyde, L.艾恩赛德，C.科尔德施，M., Rahman, F., Vispute, R. (2022). 紫外辐射发射用氧化锌族半导体阴极发光研究. Mater. Res. Bull., ; 153: 111906-end.
• Rahman, F.jadwisenczak, W. (2022). 紫外辐射发射用氧化锌族半导体阴极发光研究. Materials Research Bulletin; 153: 8.
• Jadwisienczak W., Vicente, J., Kaya, S., Chen, J. (2022). 环境条件下铅源对平面微孔结构钙钛矿自旋涂膜形态的影响. Journal 电子材料 ; 51: 1623-1631.
• Vicente, J.jadwisenczak, W., Kaya, S., Chen, J. (2022). 环境条件下铅源对平面和介孔结构自旋涂覆钙钛矿膜形态的影响. 4. Journal 电子材料; 51: 1623-1631. http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-022-09429-6.
• Jadwisienczak W., Jolivet, A., Labbé, C., Frilay, C., Debieu, O., Marie, P.霍肖尔，B., Lemarié, F.波特埃，X.格里吉尔，C., Duprey, S., Ingram, D. (2022). Structural, optical, ALD沉积TiO2薄膜的电学性能:衬底的影响, 沉积厚度和沉积温度. Journal: Applied Surface Science; 608: 155214-end.
• Inbanathan F., Kumar, P., Chen, J., Katiyar, R., Dasari, K.jadwisenczak, W. (2021). 用PLD在ITO镀膜玻璃基板上沉积CdSe薄膜的椭偏研究. 12. Materials ; 14: 3307. http://www.mdpi.com/1996-1944/14/12/3307.
• Ehre, F., Labbé, C., Dufour, C.波特埃，X., Frilay, C., Marie, P., Cardin, J., Rinnert, H., Lagarde, D., Marie, X.jadwisenczak, W., Ingram, D.F .古尔比洛. (2019). 工业硅基太阳能电池的下变频纳米结构薄膜. 材料研究学会.
• Ehre, F., Dufour, C.， Blázquez, O.加里多，B.jadwisenczak, W., Ingram, D.F .古尔比洛., Labbé, C. (2018). 电致发光器件中Ce掺杂氧化氮化硅薄膜蓝光发射增强研究. Electrochemical Society Transactions; 85: 9-21.
• Ehre, F., Labbé, C., Dufour, C.jadwisenczak, W.Weimmerskirch-Aubatin, J.波特埃，X., Doualan, J., Cardin, J.Richard, A., Ingram, D.拉布鲁杰，C.F .古尔比洛. (2018). 氮浓度对Ce掺杂SiOxNy发射的影响:面向LEDnewbb电子优化Ce3+. Nanoscale; 10: 3823-3837.
• Wang, J., Thota, V.斯蒂夫，E., Ebdah, M., Anders, A.jadwisenczak, W. (2017). 注入Eu离子的InGaN/GaN超晶格的结构和光学研究. 03. MRS Advances; 2: 179-187. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.153.
• Ingram, D.jadwisenczak, W., Ehréc, F., Labbéc, C.F .古尔比洛. (2017). 含两种稀土元素的下转换层的RBS分析. Physics Procedia; 90: 32-40.
• Dasari, K., Thapa, B., Wang, J., Wright, J., Kaya, S.jadwisenczak, W., Palai, R. (2016). 在x Ga1- x N薄膜中生长的MBE具有明亮的可见发射中心为550nm. 4. Journal 电子材料; 45: 2071–2077.
• Wright, J.卡博，D.哈格蒂，M.Richard, A., Ingram, D., Kaya, S.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2016). 硅在残余氧气氛中的热氧化- RESOX过程-用于二氧化硅薄膜的自我限制生长. 10. Semiconductor Science and Technology; 31: 105007.
• Wright, J., Caraugh, D.哈格蒂，M.Richard, A., Ingram, D., Kaya, S.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2016). 残氧气氛中硅的热氧化及其自限生长二氧化硅薄膜. Semiconductor Science and Technology; 31: 105007.
• Dumont, L., Cardin, J., Benzo, P.卡拉达，M., Labbe, C.Richard, A., Ingram, D.jadwisenczak, W.， Gourbillea, F. (2015). SiNx:Tb3+ -Yb3 +，一种与硅太阳能电池工艺兼容的高效下转换层. 太阳能材料 & Solar Cells.
• Rajan, P., Dasari, H.jadwisenczak, W., Kaya, S., Rahman, F. (2015). 自组装用硅表面等离子体活化的系统研究. 45. newbb电子材料 & Interfaces / ACS; 7: 25024–25031. http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsami.5b08358.
• Kaya, S., Rajan, P., Dasari, H., Ingram, D.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2015). 自组装用硅表面等离子体活化的系统研究. 45. ACS:newbb电子材料 & Interfaces; 7: 25024–25031.
• Wang, J., Dasari, K., Cooper, K., Thota, V., Wright, J., Palai, R., Ingram, D.斯蒂夫，E., Kaya, S.jadwisenczak, W. (2015). 镱掺杂改善了InGaN纳米棒的热稳定性，缩小了其光致发光的线宽. 4-5. Physica Status Solidi C; 12: 413-417.
• Jadwisienczak W., Dasari, K., Thapa, B., Jaime, S.Huhtinen, H., Palai, R. Er和Yb掺杂InGaN薄膜的生长和表征. J. 物理学博士:凝聚态物质.
• Jadwisienczak W., Palai, R., Wu, J., Tanaka, H., Wang, J.Huhtinen, H., Anders, A. 掺镱和植入镱GaN半导体薄膜的铁磁行为和光学性质. J. 物理学博士:凝聚态物质.
• Jadwisienczak W., Thapa, B., Palai, R., Dasari, K. 不同取向硅衬底氧化钽薄膜的生长与表征. J. 物理学博士:凝聚态物质.
• Jadwisienczak W., Wang, J., Dasari, K., Palai, R. 原位掺镱氮化镓薄膜和纳米柱结构的激发和发光复合动力学. J. 物理学博士:凝聚态物质.
• Jadwisienczak W., Kallel, T., Dammak, M., Wang, J., Anders, A. (2012). AlN:Er薄膜的光学和振动特性. 光学材料.
• Jadwisienczak W., Kallel, T., Dammak, M.赫梅亨，H., Wang, J. (2012). 蓝宝石和硅上植铒AlN薄膜的拉曼表征及应力分析 . Phys. Rev. B.
• Jadwisienczak W.威斯涅夫斯基，K., Ingram, D. (2010). 光学性质, 掺铕氮化镓红色粉末荧光粉的发光猝灭机理和辐射硬度. Radiation Measurements; 54: 500.
• Jadwisienczak W.威斯涅夫斯基，K., Thomas, T., Spencer, M. (2009). 铕掺杂GaN的高压发光研究. J. Rare Earth; 27: 667-670.
• Koubaa, T., Dammak, M., Kamoun, M.jadwisenczak, W.洛兹科夫斯基，H., Anders, A. (2009). AlN中Yb3+的光谱和能级. J. Appl. Phys.; 106: 013106-6.
• Khan, A., Khan, S.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2008). 单斜斜氧化镓(β-Ga2O3)纳米结构的拉曼光谱研究:纳米线与纳米线的比较. nanobelts. Science of Advanced Materials; 11: 122-125.
• Khan, A.jadwisenczak, W.洛兹科夫斯基，H.科尔德施，M. (2007). 排列ZnO纳米棒的无催化剂合成与发光研究. Physica E; 39: 258-261.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W. (2007). 稀土离子掺杂AlN的发光热猝灭及等价陷阱模型. phys. stat. sol. (b); 244: 2109-2126.
• Jadwisienczak W., Khan, A.科尔德施，M. (2006). 从锌微球到空心ZnO微球:大规模金属锌微球和空心ZnO微球生长的一条简单途径. Physica E; 33: 331.
• Khan, A.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2006). 超宽β-Ga2O3纳米片和纳米带的一步制备及其光致发光研究. Physica E; 35: 207-211.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H.本索拉，A.蒙泰罗，O. (2005). Pr、Eu、Tb和Tm离子注入AlN的发光和激发机理. Microelectronics Journal; 36: 453.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H. (2003). GaN薄膜中Yb离子的光学性质. 光学材料; 23: 175.
• Gruber, J., Zandi, B.洛兹科夫斯基，H.jadwisenczak, W. (2002). 氮化镓中Tb3+ (4f8)的光谱和能级. J. Appl. Phys.; 92: 5127.
• Gruber, J., Zandi, B.洛兹科夫斯基，H.jadwisenczak, W. (2002). 氮化镓中Sm3+ (4f5)的光谱特性. J. Appl. Phys.; 91: 2929.
• Jadwisienczak W.洛兹诺斯基，H., Xu, A., Patel, B. (2002). 稀土离子掺杂ZnO的可见光发射. J. Electron. Materials; 31: 776.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2001). 氮化镓掺杂Tb的阴极发光研究. 材料科学 & Engineering B; 81/1-3: 140.
• Gruber, J., Zandi, B.洛兹科夫斯基，H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2001). GaN中Pr3+ (4f2)能级的晶体场分裂. J. Appl. Phys.; 89: 7973.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H.别里舍夫，我.本索拉，A., Brown, I. (2001). Eu和Tb离子掺杂AlN的可见发射. J. Appl. Phys; 89: 4384.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H., Perjeru, F., Chen, H.科尔德施，M., Brown, I. (2000). 溅射法生长的非晶AlN薄膜中注入Tb离子的发光特性. Appl. Phys. Lett.; 76: 3376.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Han, J., Brown, I. (2000). GaN和Al0的发光特性.14Ga0.掺铕的86N/GaN超晶格. Appl. Phys. Lett.; 77: 767.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2000). 掺Pr的GaN的光致发光和阴极发光. J. Appl. Phys.; 88: 210.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2000). 掺Pr的GaN的光致发光和阴极发光. 互联网夫人. 氮化硅Semicond. Res. 5S1, W11.64.
• Lozyknowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2000). 氮化镓掺杂Tb的光致发光和阴极发光. Appl. Phys. Lett.; 76: 861.
• Chen, H.Gurumurugan, K.科尔德施，M.jadwisenczak, W.洛兹科夫斯基，H. (2000). 溅射生长GaN:Er薄膜的可见和红外发射. 互联网夫人. 氮化硅Semicond. Res. 5S1, W3.16.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (1999). 掺Sm和Ho的GaN阴极发光研究. 固态电源.; 110: 253.
• Jadwisienczak W.Gurumurugan, K., Chen, H., Harp, G.洛兹科夫斯基，H. (1999). 掺铒非晶态AlN薄膜的溅射可见阴极发光. Appl. Phys. Lett.; 74: 3008.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (1999). 掺Dy, Er和Tm的GaN的可见阴极发光. Appl. Phys. Lett.; 74: 1129.

期刊文章，专业期刊(54)

• Choudhari, A., Cui, X., Hoex, B., Hyde, L.艾恩赛德，C.jadwisenczak, W.科尔德施，M., Rahman, F., Vispute, R. (2022). 紫外辐射发射用氧化锌族半导体阴极发光研究. Materials Research Bulletin; 153: 111906.
• Sutariya, S., Bsatee, M.格洛洛博娃，O., Weiner , B.莫雷尔，G.jadwisenczak, W., Thapa, B. (2021). Fe3O4/L Cys - ZnS:Mn纳米复合材料中锰光致发光的磁控制. ACS Omega; 6: 7598−7604.
• Jadwisienczak W., Yuan, W.维克拉马辛哈，T. (2020). 深紫外电致发光光子器件中氮化硼的冲击激发过程. 8-9. MRS Advances; 5: 421-430. http://www.cambridge.org/core/journals/mrs-advances/article/abs/design-of-novel-deep-ultraviolet-acdriven-electroluminescence-devices-based-on-boron-nitride-nanomaterials/FC85D2D9B9A857C95866D167CE3E7513.
• Jadwisienczak W., Dasari, K., Wang, J., Dierolf, V., Razeghi, M. (2019). 掺镱GaN和InGaN薄膜的强光致发光增强. 波士顿:发光杂志.
• Jadwisienczak W. (2019). Synthesis, 石墨烯/氮化硼纳米片异质结构隧道器件的表征与制备. 7. Nanomaterials; 9: 925-end.
• Jadwisienczak W., Ingram, D. (2019). 增强Ce掺杂氮化硅基电致发光器件的蓝色发射. 12. ECS Journal of Solid State Science and Technology; 8: R157-R163.
• Jadwisienczak W.里卡多·马丁内斯， . (2019). 稀土取代对结构的影响, Magnetic, ZnO纳米粒子的光学和介电性质. 11-12. MRS Advances; 4: 675-682.
• Jadwisienczak W. (2019). 稀土掺杂La0的光磁行为及红外光谱研究.7Sr0.3MnO3. 9. MRS Advances; 4: 559-565.
• Jadwisienczak W., Ehre, F., Dufour, C.布拉斯克斯，O.加里多，B., Ingram, D.F .古尔比洛., Labbe, C. (2018). 电致发光器件中Ce掺杂氧化氮化硅薄膜蓝光发射增强研究. 3. ECS Transactions; 85: 9-21. http://ecst.ecsdl.org/content/85/3/9.full.pdf+html.
• Jadwisienczak W., Thapa, B.Diaz-Diestra, D.圣地亚哥-麦地那，C., Kumar, N., Tu, K.Beltran-Huarac J. (2018). 具有突变细胞内化和免疫逃逸的单核截断立方氧化铁纳米颗粒的T1和T2加权磁共振双重对比.
• Jadwisienczak W., Sajjad, M., Makarov, V., Sultan, M., Weiner, B., Morell, G. (2018). 石墨烯量子点与氧化铁纳米复合材料的光学和磁性能. Hindawi, Advances in Materials Science and Engineering; 2018: 1-8. http://doi.org/10.1155/2018/3254081.
• Jadwisienczak W., Ehre, F., Labbe, C.F .古尔比洛.Richard, A., Ingram, D. (2017). 氮浓度对Ce掺杂氧化硅氮化发射的影响. Nanoscale; http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/nr/c7nr06139k#!divAbstract.
• Jadwisienczak W.， Yahiaoui, Z., Kallel, T., Koubaa, T., Dammak, M., Dasari, K., Palai, R., Wang, J. (2017). 掺镱InGaN纳米棒的光致发光研究及晶体场计算. Materials Science and Engineering B; 222: 26-33. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510717301162?via%3Dihub.
• Jadwisienczak W., Dasari, K., Wu, J.Huhtinen, H., Palai, R. (2017). Growth, 发光, 分子束外延生长GaN:Er半导体薄膜的磁性能. 17. J. Phys. D: Appl. Phys.; 50: 175104-175119. http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/aa63b3/meta.
• Jadwisienczak W., Wang, J., Thota, V.斯蒂夫，E., Ebdah, M., Anders, A. (2017). 注入Eu离子的InGaN/GaN超晶格的结构和光学研究. 3. MRS Advances; 2: 179-187. http://www.cambridge.org/core/journals/mrs-advances/article/div-classtitlestructural-and-optical-studies-of-ingangan-superlattices-implanted-with-eu-ionsdiv/FA0B3D54A7A408A52D195083C13FE72B.
• Yahiaoui, Z.jadwisenczak, W., Dammak, M. (2017). 掺镱InGaN纳米棒的光致发光研究及晶体场计算.
• Aquino, F.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2016). 激光散斑对激光二极管泵浦磷光转换光源的影响. 2. Applied Optics; 56: 278-283.
• Dasari, K.jadwisenczak, W., Palai, R. (2016). Growth, 发光, 分子束外延生长GaN:Er半导体薄膜的磁性能.
• George, A.Al-Waisawy,年代., Wright, J.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2016). 用于固态照明的激光驱动磷转换白光源. 8. OSA Applied Optics; 55: 1899-1905.
• Wang, J., Koizumi, A.藤原，Y.jadwisenczak, W. (2016). OMVPE原位掺杂Eu3+离子GaN缺陷的光学和电学研究. 12. Journal 电子材料; 45: 6355-6362.
• Al-Waisawy,年代., George, A.jadwisenczak, W., Rahman, F. (2016). 固态白色照明用平衡三色白色荧光粉的制备. Luminescence; 1-9.
• Wang, J., Koizumi, A.藤原，Y.jadwisenczak, W. (2016). OMVPE原位掺杂Eu3+离子GaN缺陷的研究. 4. Journal of Electronis Materials; 45: 2001-2007.
• Pandya, S.科比特，J.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2016). 掺铒氮化铝纳米颗粒的结构表征及x射线分析, 采用惰性气体冷凝法合成. Physica E Low Dimensional Systems and 纳米结构; 79: 98-102.
• Kallel, T., Koubaa, T., Dammak, M., Pandya, S.科尔德施，M., Wang, J.jadwisenczak, W., Wang, Y. (2016). 掺铒纳米粒子的光谱、能级和晶体场计算. Journal of Luminescence; 171: 42-50.
• Pandya, S.科比特，J.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2015). 掺铒氮化铝纳米颗粒的结构表征及x射线分析, 采用惰性气体冷凝技术合成. Physica E; 79: 98–102.
• Jadwisienczak W.Beltran-Huarac J.Diaz-Diestra, D., M. Bsatee, M., Wang, J., Weiner , B., Morell, G. (2015). 近室温下LSMO/ZnS:Mn纳米复合材料的新型磁致发光效应. 纳米技术; http://iopscience.iop.org/0957-4484/page/Forthcoming%20articles.
• Kallel, T., Koubaa, T., Dammak, M., Pandya, S.科尔德什，E., Wang, J.jadwisenczak, W., Wang, Y. (2015). 掺Er3+在AlN纳米颗粒中的光谱、能级和晶体场计算. Journal of Luminescence; 171: 42–50.
• Kaya, S., Rajan, P.jadwisenczak, W., Dasari, H., Ingram, D., Rahman, F. (2015). 自组装用硅表面等离子体活化的系统研究. 45. ACS Appl. Mater. Interfaces; 7: 25024–25031.
• Dumont, L., Cardin, J., Benzo, P.卡拉达，M., Labbé, C.Richard, A., Ingram, D.jadwisenczak, W.F .古尔比洛. (2015). SiNx: Tb3+-Yb3+，一种与硅太阳能电池工艺兼容的高效下转换层. 太阳能材料 and Solar Cells; 145: 84–92.
• Al-Waisawy,年代.jadwisenczak, W., Wrigth, J.彭德雷尔，D., Rahman, R. (2015). 红色的激光激发, Green, 固态照明用蓝色和三色白色稀土荧光粉. Journal of Luminescence; 169: 196-203.
• Dasari, K., Wang, J., Guinel, M.jadwisenczak, W.Huhtinen, H., Mundle, R., Pradhan, A., Palai, R. (2015). 分子束外延生长高含量InGaN:Yb纳米棒的可见光致发光和室温铁磁性. Journal Applid Physics; 118: 125707-10.
• Jadwisienczak W.藤原，Y., Rahman, R. (2015). 铕促使GaN LED变红. 5. CS Compound Semiconductor; 21: 50-53 . http://www.compoundsemiconductor.net/article/97559-europium-propels-the-gan-led-into-the-red.html.
• Wang, J., Dasari, K., Cooper, K., Thota, V., Wright, J., Palai, R., Ingram, D.斯蒂夫，E., Kaya, S.jadwisenczak, W. (2015). 镱掺杂改善了InGaN纳米棒的热稳定性并缩小了其光致发光的线宽. physica status solidi (c); 12: 413-417.
• Kallel, T., Dammak, M., Wang, J.jadwisenczak, W., Wu, J., Palai, R. (2014). 掺杂Yb3+离子的GaN纳米棒的光学研究和晶体场计算. Journal of Alloys and Compounds; 609: 284–289. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925838814009955.
• Kallel, T., Dammak, M.赫梅亨，H., Wang, J.jadwisenczak, W. (2014). 不同基质上生长的AlN:Er3+薄膜拉曼表征及应力分析. Materials Science and Engineering: B; 187: 46–52. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510714000993.
• Tanaka, H.jadwisenczak, W., Saito, H., Zayets, V., Yuasa, S., Ando, K. (2014). 用L临界点磁圆二色光谱观察铁磁Ga1-xMnxAs中的局域sp-d交换相互作用. 35. Journal of Physics D: newbb电子物理 Email alert RSS feed; 47: 355001. http://iopscience.iop.org/0022-3727/47/35/355001.
• Podhorodecki,., Golacki, L., Zatryb, G.米谢维茨，J., Wang, J.jadwisenczak, W., Fedus, K., Wojcik, J., Wilson, P., Mascher, P. (2014). PECVD生长富硅氧化硅薄膜中Tb离子的激发机理及热发射猝灭. 14. newbb电子物理杂志; 115: 143510-10.
• Sajjad, M., Guinel, M.jadwisenczak, W.瓦尔什尼，D., Morell, G., Feng, P. (2014). 氮化硼纳米片的纳米结构研究及深紫外光探测器的研制. Nanoscale; 6: 4577-4582 . http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/nr/2014/c3nr05817d#!divAbstract.
• Beltran-Huarac J., Resto , O.jadwisenczak, W., Weiner, B., Morell, G. (2014). 单晶核/壳γ-MnS/C纳米线. 2. ACS Appl. Mater. Interfaces; 6: 1180–1186. http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/am404746k.
• Jadwisienczak W.Beltran-Huarac J., Resto, O.卡彭纳-努涅斯，J., Weiner, B., Morell, G. (2014). 碳包覆单晶γ-MnS纳米线. 2. ACSnewbb电子材料公司 & Interfaces; 6: 1180–1186.
• Jadwisienczak W.Beltran-Huarac J., Wang, J., Tanaka, H., Weiner, B., Morell, G. (2013). Mn在双功能ZnS中的光致发光稳定性.05年锰纳米颗粒 . 5. newbb电子物理杂志; 114: 053106-053109.
• Morris, J.安德森，A.jadwisenczak, W., Riefler, G. 紫外发光二极管对枯草芽孢杆菌孢子的水消毒研究. J. 水的研究.
• Sajjad, M.jadwisenczak, W., Feng, P. 白色氮化硼石墨烯纳米片的光学和电学性质. J. 纳米科学和纳米技术.
• Tanaka, H.jadwisenczak, W., Kaya, S., Chen, G., Wan, C.科尔德施，M. (2013). 原位掺杂镍非晶AlN薄膜团簇的铁磁性及厚度依赖性. J. 电子材料.
• Jadwisienczak W., Wang, J. (2012). 铕注入InGaN/GaN超晶格的光致发光研究. J. 超晶格和微观结构.
• Kallel, T., Koubaa, T., Dammak, M.jadwisenczak, W. (2012). AlN薄膜中取代Er3+的光学表征及晶体场计算. J. Lumininescence; 134: 893--899. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2012.06.021.
• Wu, J., Rivera, A.马丁内斯，A., Liu, K., Shur, M., Yue, L., He, X., Binek, C.Huhtinen, H.jadwisenczak, W. (2012). MBE生长GaNŸb半导体薄膜的室温铁磁行为. J. newbb电子物理.
• Jadwisienczak W., Wu, J., Palai, R., Shur, M. (2012). MBE生长Al1-xGaxN外延柱状纳米结构的带隙工程. J. Phys. D: Appl. Phys.; 45: 015104.
• Jadwisienczak W., Palai, R., Wang, J., Tanaka, H., Wu, J.Huhtinen, H., Anders, A. (2011). 铁磁掺镱iii -氮化物薄膜的光学活性. phys. stat. sol. (c).; 8: 2185.
• Khan, A., Khan, S.jadwisenczak, W. (2010). 简单热蒸发法一步生长ZnO纳米四足体:结构和光学性质. 4. Science of Advanced Materials; 2: 572-577. http://www.ingentaconnect.com/content/asp/sam/2010/00000002/00000004/art00019.
• Jadwisienczak W., Wang, J., Tanaka, H. (2010). 镱植入GaN涂层的光学和磁性. 6. Journal of Rare Earth; 28: 931-935.
• Jadwisienczak W., Palai, R., Wang, J., Tanaka, H. (2010). 铁磁掺镱iii -氮化物薄膜的光学活性. phys. stat. sol. (c).
• Jadwisienczak W.威斯涅夫斯基，K., Spencer, M., Thomas, T., ingram, D. (2010). 光学性质, 掺铕氮化镓红色粉末荧光粉的发光猝灭机理和辐射硬度. Radiation Measurements; 45: 500-504.
• Koubaa, T., Dammak, M., Kammoun, M.jadwisenczak, W.洛兹科夫斯基，H. (2010). 取代Yb3+离子在GaN中的晶体场和塞曼参数. Journal of Alloys and Compounds; 496: 56–60.

Patent (4)

• Jadwisienczak W., Rahman, F. 外加磁场对稀土掺杂发光材料内量子效率的修饰与控制.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H. 稀土离子掺杂氮化镓及其实现可见光发射的方法和结构. Canadian Pat. #2362956.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H. 稀土离子掺杂氮化镓及其实现可见光发射的方法和结构. U. S. Pat. # 6,277,664 B1.
• Jadwisienczak W. 稀土离子掺杂氮化镓及其实现可见光发射的方法和结构. U. S. Pat. # 6,140,669.

书，学术书籍章节(2)

• Jadwisienczak W., Maqbool, M.科尔德施，M. (2012). 稀土和过渡金属掺杂非晶和纳米晶氮化物薄膜的阴极发光. Intech; 44. http://intechopen.com.
• Maqbool, M.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2011). 书中章节:掺杂稀土和过渡金属的非晶和纳米晶氮化物和氧化物薄膜的阴极发光. InTech -开放获取出版商.

会议记录(24)

• Jadwisienczak W., Cai, T., Kaya, S. (2020). 激光刻录碳层:工艺优化 & 传感器的newbb电子. 2019 IEEE国际柔性电子技术会议(IFETC).
• Jadwisienczak W., Sajjad, M. 用于石墨烯电子和光学器件的氮化硼纳米片的生长.
• Wickramasinghe T.jadwisenczak, W. 深紫外电致发光光子器件中氮化硼冲击激发过程的研究.
• Dasari, K.jadwisenczak, W. (2016). 稀土离子对高铟InGaN光学性质的影响.
• Rajan, P., Dasari, H.jadwisenczak, W., Kaya, S. (2013). 等离子体活化硅表面:一种更容易和更安全的微球光刻方法. 第七届国际半导体器件研究研讨会- ISDRS.
• Morris, J.安德森，A.jadwisenczak, W., Riefler, G. (2011). 利用紫外发光二极管对枯草芽孢杆菌孢子进行水消毒. 热带岛屿的水资源可持续性问题.
• Jadwisienczak W., Tanaka, H., Chen, G.科尔德施，M. (2011). 掺杂镍的非晶态AlN薄膜的形貌和磁光性能. Mater. Res. Soc. Symp. Proc.; 1290: 1290:1-6. http://www.mrs.org/home/.
• Jadwisienczak W., Tanaka, H., Chen, G.科尔德施，M., Khan, A. (2010). 掺杂镍的非晶态AlN薄膜的形貌和磁光性能. 材料研究学会研讨会论文集.
• Ebdah, M.jadwisenczak, W., Wang, J.科尔德施，M. (2010). Eu3+离子注入InGaN/GaN量子阱的结构研究. 材料研究学会研讨会论文集. ; 1202: 1202-I05-20.
• Jadwisienczak W., Tanaka, H.科尔德施，M., Khan, A., Kaya, S.维普卢里，V. (2010). 磁光newbb电子中Ni和Co掺杂非晶AlN的研究. 材料研究学会研讨会论文集. ; 1202: 1202-06.
• Jadwisienczak W., Ramadan, S., Thomas, T., Spencer, M., Garces, N., Glaser, E.威斯涅夫斯基，K. (2009). 铕掺杂GaN荧光粉的发光和激发机理. MRS. Symp. Proc.; 1111: 1111-D02-07.
• Ebdah, M.jadwisenczak, W.科尔德施，M., Ramadan, S., Morkoc, H., Anders, A. (2009). 镧系离子注入iii -氮化物超晶格结构的研究. Mater. Res. Soc. Symp. Proc.; 111.
• Jadwisienczak W., Vemuru, A., Khan, S., Khan, A.科尔德施，M. (2008). 溅射法制备稀土离子掺杂非晶氧化锌薄膜的可见发光特性. Mater. Res. Symp. Proc; 1035: 1035-L11-19.
• Jadwisienczak W., Khan, A.科尔德施，M.洛兹科夫斯基，H. (2007). 单斜斜Ga2O3纳米结构的制备及其发光性能. 专题讨论会E:纳米功能材料, 纳米结构, 生物和化学检测新装置, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.; 951: 0951-E09-42.
• Khan, A.jadwisenczak, W., Khan, S.科尔德施，M. (2007). 静电纺丝技术制备Ga、In、Er掺杂ZnO纳米纤维. 研讨会K:氧化锌及相关材料. Res. Soc. Symp. Proc.; 957: 0957-K10-49.
• Khan, A.jadwisenczak, W.科尔德施，M. (2006). 新型氧化锌纳米结构的合成:微球, Sheets, Needles, 尖端纳米棒和金属丝, 多面体笼, 贝壳和类似麦克风的结构, O6.18. Mater. Res. Soc. Symp. Proc.; 900E: 0900-O06-18-1.
• Lozykowski H.jadwisenczak, W., Brown, I. (2001). GaN:Tb, Al0的发光特性.14Ga0.86N/GaN超晶格与AlN:Tb和Eu. Bull. Am. Phys. Soc., 46N1, R40-41, 826.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H., Xu, A., Patel, B. (2001). 稀土离子掺杂ZnO的可见光发射. The 2001 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials; 85-86.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H.别里舍夫，我.本索拉，A., Brown, I. (2000). 掺Eu、Tb和Er离子的AlN的可见发射. Monterey, CA: Proceeding of the 2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors; 489.
• Hassan, Z.科尔德施，M.jadwisenczak, W.洛兹科夫斯基，H. (1998). 低温ECR等离子体辅助MOCVD微晶和非晶GaN沉积及电子器件的测定. Mat. Res. Soc. Sympos. Proc.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H. (1997). 氮化镓中As、P和Bi等电子阱的发光特性. Mat. Res. Soc. Sympos. Proc.; 482: 1033.
• Jadwisienczak W.洛兹科夫斯基，H. (1997). 磷铋注入氮化镓的光致发光. 圣地亚哥:IEEE第24届国际会议. Sympos.; 271.
• Jadwisienczak W., Koepke, C.威斯涅夫斯基，K.格林伯格，M. (1997). 掺钛玻璃的光谱评价. Proceeding of SPIE; 21: 3176.
• Jadwisienczak W., Koepke, C.威斯涅夫斯基，K.格林伯格，M., Russell, D.霍利迪，K. (1997). Cr3+:锌晶石玻璃陶瓷中2Eg4A2发射的结构. Proceeding of SPIE; 42: 3176.

会议、海报(5)

• Ehre, F.jadwisenczak, W., Labbé, C. 发射器件用Ce掺杂氧化氮化硅薄膜的制备与表征.
• Ehre, F.jadwisenczak, W., Labbé , C. Ce3+-Yb3+掺杂氮化硅在太阳能电池中的高效红外量子切割.
• Ehre, F.jadwisenczak, W., Labbé, C. 用于高效硅太阳能电池的硅基下变频系统.
• Kaya, S., Wright, J., Rahman, F.jadwisenczak, W. (2014). 电纺丝聚合物与纤维膜纳米传感的比较研究. Elazig，土耳其:纳米科学 & 下一代纳米技术; http://www.nanong2014.org/.
• Kaya, S., Rajan, P., Rahman, F.jadwisenczak, W. (2014). 等离子体活化自组装和纳米油墨印刷. Elazig，土耳其:纳米科学 & 下一代纳米技术; http://www.nanong2014.org/.

法律评论(1)

• Tanaka, H., Bsatee, M.jadwisenczak, W. (2016). 铁磁性γ - na在InP上的塞曼分裂, 反射模式下磁圆二色性观测. 8. Journal 电子材料; 45: 4491–4495.

在线文章(一)

• Rahman, F.jadwisenczak, W. (2014). 荧光粉:白光led背后的驱动力. Compound Semiconductors; 7: 22-25. http://www.gpd-global.com/co_website/pdf/pcdpumpseries/Phosphors_LED_Article.pdf.

Other (1)

• Jadwisienczak W., Dierolf, V.藤原，Y.格雷戈凯维奇，T. (2012). 用于光子newbb电子的先进材料稀土掺杂. 材料研究学会; 1342: 117.